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皇冠正网:全球存储器格局还会有变数

2020-01-08 08:28 出处:通化新闻  人气:   评论( 0

摘【要:】全《球存》储器“垄”断格(局)已‘经 持’续‘近20年,按2018 年12月’数【据,】韩(国)三星,“海力”士总计“获”得DRAM‘的73% 及NAND’闪《存52%》的市场份额。《但》是据观“察,未来”这“样的”垄断‘格局 迟早’可‘能 会发生改’变。  


  【全】球存储(器)垄‘断 格局已’经《持》续近20《年,按2018年12月数》据,‘韩 国’三‘星, 海’力士【总】计“获得DRAM的73%”及NAND“闪存52%的”市“场份”额。(但)是【据】观“察,未来”这“样”的《垄断》格(局)迟“早”可能会发‘生 改变。

  根’本(原因)是(市)场(中)的利益不【可】能【长久独】占,‘到时 候一’定【会分化,它是】全‘球市 场’化的《基》本“规则。

  存储”器(业前景)看“好

  ”美【光】副总(裁Sumit Sadana认为)存储器【业将】迎(来)未‘来10-20 年’的《好》光(景。)按照成‘长率计,NAND的年 均增长’率可‘达35%,以及DRAM为15-19%。

   因’为【存】储器是伴‘随着 计’算机业(成)长与‘进步,开 初时CPU与存’储‘器 的销’售额【为近1:1,】如今【在】移动时【代,加上AI,5G及大】数“据等共”同《推》动《下,》存《储》器‘的使 用’量大幅(上)升,在2018年已《经》达(到3:1,存储)器的销售“额”已‘达1,600 亿’美【元。

  阿里】云《智》联网首‘席 科’学(家丁险峰)预“测,2030”年(大陆)将会‘设 计制’造《世界上80~90%的》物【联网】设备以及50%‘的 云’端(运算。80%的物)联‘网 设’备(不仅)制“造”在大《陆,》设“计”也《在》大【陆。】物【联网是高度】碎片‘化的市场, 必’须有大量【的】工‘程 师’支持各种【应】用场景。(大)陆的认‘知运 算将’占‘据 全球一半以’上。

  IDC《预》测2020(年)全球“数”据《总量》将【突】破40ZB,《到2025》年,全球“联网”设备一‘年 产’生的数据量【达到79.4ZB。】在阿《里》云栖《大会上,》阿《里巴巴》董(事长张勇)提‘出的公 开’预测数据显【示,到2025年,全球】一【年】产生的“数”据“将达175ZB,是IDC预测”的两倍。

  “虽然全”球‘数 据’量呈爆炸‘式 增长,’但是《数》据《的》存‘储 却’面(临)很《大的挑战,》那就【是存】储‘产 业’的【增长速度】远(远)追‘不上 数据增’长的“速度。

  ”从(历史)的数据看,2018《年》全球【生】成‘了32ZB 的’数【据但】是‘只有5ZB的数 据’被(存)储下‘来,预 计到2023’年,‘全球 会有103ZB’数据《产》生,但是【能存储的】数‘据 只’有12ZB!‘所 以’只“有”不到10%(的数)据被存“储!

  ”为(什)么全“球存”储【器】产“能”不会同《步的》跟《进?这》是【个】非【常】现【实】的问‘题,由 于产’能扩充(需)要【投】入大量【的】资金,“另外”存《储器》的价格与《供求紧密相》关,《所以每》个大厂在【产】能《扩》充方面都是《十分谨》慎。“它们”的逻辑是“宁”愿让‘市 场’的供应稍(稍)短(缺)一些。

  (再有)存【储】器的周期《性起伏》十分(明)显,【需】要企【业】有(充)足的“现”金(流)支“持。”所以即《便》在“市”场“态”势“上”升时,‘存 储’器的产‘能 扩’充“仍”是《缓》慢(的,)不太(可能)急升。

  据Gartner‘的预测,2018 年全球DRAM’月“产”能‘总计约1250K片(12英 寸计),’其中(三星)为460K片,海(力)士350K‘及 美’光“的345K。至2021年”时“估”计【新】建产【能】再增‘加20-25 万’片。

  另据IBS的预《测,2018》年全《球NAND》闪《存月》产‘能 总’计(约)为1450K,到2021年‘时约为1,700K, 在’此【期】间【再】增【加】新【建产】能(约)为300K,“总”计为【月】产能(近2,000K。

  强手都欲)聚“焦存储”器

  “《人》无‘远 虑’必有近忧”,《再好的》企《业》也必须《要具》有《危》机(感,)想(到“)万【一”】情‘况出 现’时“相”应的对策,“如三星,已”是连续‘多年全 球存储’器老大,2018年【它】的存“储”器(利)润创新高,《但》是【近期】它“宣布”在未《来》的10“年”中要《总》投“资”达1,000《亿美元,》欲“夺取全”球《代工》的(首)位。

  《再如》英特‘尔, 它’己连续多(年)是【全】球(半导体销)售额的《首》位,“虽”然【它是】全‘球 最早做’存‘储 器’的【企】业之一,但《是》之【后】离《开存储器》集中力量“做处”理(器。)如《今时》隔34年后它《宣》布“要”重“返”存《储器》市场。发【布】新‘一 代’存《储器业务战》略,【将】炮(火)瞄《准存》储器半(导体大)厂三(星)电(子)和SK‘海力士。

  英 特尔’为“何选择”向存(储)器‘市 场进’攻《呢?它的》高【级副总裁兼】非【易失性】存‘储 器解决’方《案》事“业”部总《经》理罗【布•克鲁】克解释,因为‘存 储器’和CPU有【密不】可分‘的关系,为加 强CPU潜’力,“因”此“选择进”军《存》储(器,)并“决”定再“扩”新墨“西哥州的”新(生产)线。

  值【得】注【意】的“是”英特尔采《用3D Xpoint、》是与【美】光联合发“布的新”型“闪”存“技术,号”称【是25】年‘来 存’储(技术)的(革)命《性突》破,【速】度是《目前NAND闪存的1000》倍,耐“用”性也是‘目前 闪’存的1000【倍,】密(度)是NAND‘的10 倍。

  英特尔’指‘出, 机器所产’生【的】大量‘资 料’通常需【透】过【实】时《分析后,》才能赋‘予 数’据《价值。此项》需求‘凸显了内 存’储层级(结)构所产【生】的“缺”口,‘即DRAM 容量’不《足、SSD则》不够快。而这《些》缺“口”可透过Optane DC【持】续性内(存来填)补,(就)连‘更 大’量“的数”据【集(data set)也可】透过【储】存“接口”连【接的Optane】技术来填“补缺口。

  ”然‘而英特尔 能否如愿’以偿,决定于3D Xpoint‘产 品’能《否》取《得》众‘多 服’务器客户的【青】睐,目前【尚】为【时过】早。

  《另外,》如全“球”代(工)的台‘积 电,实’际《上它》一直在作《嵌》入式(存)储《器的代工。》但是《它》至今并未‘表 示’要(向)存储器进【军。仅是】业‘界 有’人认‘为 台’积(电)要‘保持“ 常青”,应’该及【早跨】入(存)储《器》业,此话并‘非 一’时冲(动。因)为全球(代工业中)台积《电》的‘市占 己’达54%,(离第二)名的《三星》有很大‘的 距’离。《但是由》于【工】艺制程技《术已经》进入3nm,‘计划向2nm挺进, 甚’至(达1nm。)不(可否认的)事‘实, 仅5nm的’工【艺】研发《费用》为《近5亿》美“元,”及3nm‘为 近15’亿《美》元,业【界预估2nm时可】能‘高 达65’亿“美”元。(而7nm)的一《次》工‘艺流 片’费《用约3,000》万“美元,”及5nm“的”流(片费用)高达“约3”亿《人民币。

  由》此《随着》定(律接近)终‘点, 工’艺【研】发费用【呈火箭】状‘上 升,能支’持‘高 额’费用‘的fabless 越来’越少。《所》以台《积》电要开辟“新”的战(场)是(理)所当“然”的【事。

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